日本原子力研究開発機構物質科学研究センターの津田泰孝博士研究員

半導体の微細化は年々進んでおり、現在のデバイスに含まれるトランジスタの数は数十億個にも達している。ただし、より微細化するためには、微細化に伴って増える欠陥を制御しなければならない。欠陥が生じると消費電力は増加し、誤作動などにもつながるからだ。ただし、酸化反応を精密に制御し、欠陥の少ない良質な酸化膜をシリコン基板上に作製するためには、原子レベルの膜厚領域における酸化反応の機構を理解する必要がある。
日本原子力研究開発機構物質科学研究センターの津田泰孝博士研究員、吉越章隆研究主幹、東北大学の高桑雄二教授、小川修一助教、福井高専の山本幸男教授らの研究グループは、シリコン酸化膜の成長メカニズムをＳＰｒｉｎｇ－８の高輝度放射光を用いたリアルタイム光電子分光法観察で明らかにした。