量子科学技術研究開発機構の境誠司プロジェクトリーダー（左）と李松田研究員

ＩｏＴの進化によって、様々なものがデータ化され、膨大な情報が日々生まれている。これらはハードディスクやＭＲＡＭ（磁気ランダムアクセスメモリ）に保存されているが、今後、さらに増える情報に対応するためには、磁気メモリの高密度化が必要だ。量子科学技術研究開発機構量子ビーム科学部門の李松田主任研究員、境誠司プロジェクトリーダーらは、ＫＥＫ物質構造科学研究所の雨宮健太教授、物質・材料研究機構の桜庭裕弥グループリーダーらとの共同研究により、電子スピンの向きをそろえる性能とスピンの向きを保つ性能のそれぞれに最も優れる、ホイスラー合金とグラフェンからなる積層材料の開発に成功した。この新しい材料により、電子スピンの自在な操作が可能になることで、従来の数十倍から数百倍の超高記録密度で省エネの磁気メモリの実現などにつながることが期待される。
磁気メモリは、電子スピンの向きがそろった電流を生み出す磁性体で、スピン偏極した電流を伝える非磁性体をサンドイッチした構造をしており、上限磁気の向きに応じて非磁性体の電気抵抗が変化する電磁抵抗効果を利用して、０と１を記録している。